制動單元里的IGBT是什么？

      制動單元用IGBT英文稱為“Insulated Gate Bipolar Transistor”，中文譯為“絕緣柵雙極型晶體管”是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如制動單元、交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。屬于制動單元中的核心部件。

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